Passivierungsschicht mit Punktkontakten für Dünnschichtsolarzellen

摘要

Die Erfindung betrifft eine Passivierungsschicht mit Punktkontakten für Dünnschichtsolarzellen die eine poröse Schicht (pS) aus einem dielektrischen Material, wie z.B. Al2O3 oder VxOy, mit einer Schichtdicke im Bereich von 1 nm bis 50 nm aufweist. In die Poren der porösen Schicht (pS) sind Nanostäbe (NS) aus einem leitfähigen Metalloxid eingewachsen mit einer Mindestlänge, die der Schichtdicke entspricht und die bei einer Länge, die größer als die Schichtdicke der porösen Schicht ist und bis zu 1000 nm betragen kann, aus der Schicht auf einer Seite hinaus ragen. Die Nanostäbe (NS) schließen auf der Rückseite der Passivierungsschicht bündig mit dieser ab. Die Grenzflächen zwischen den Nanostäben und einem Absorber, in den sie hineinragen, bilden die Punktkontakte.