| 发明名称 | 矽及含矽膜之原子层沈积 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI488220 | 申请公布日期 | 2015.06.11 |
| 申请号 | TW100111263 | 申请日期 | 2011.03.31 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 乔伊 雷蒙;甘地 密那克希桑德瑞 |
| 分类号 | H01L21/205;C23C16/24 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 | |
| 主权项 | 一种在基板上沉积含矽膜的方法，包含下列步骤：(a)将一基板设置于一批次处理系统中，该批次处理系统系设置成用以执行该含矽膜之原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)；(b)将该基板曝露至一不饱和数量之含矽的一第一前驱物；(c)由该批次处理系统排出或清洗该第一前驱物；(d)将该基板曝露至一饱和数量之含矽或一掺杂物的一第二前驱物，其中该第一及第二前驱物中仅有一者含有卤素，且该第一及第二前驱物在该基板上之反应形成该含矽膜及一挥发性氢-卤素(HX)副产物；(e)由该批次处理系统排出或清洗该第二前驱物及该HX副产物；及(f)重复步骤(b)~(e)，直到该含矽膜具有一所需厚度。 | ||
| 地址 | 日本 | ||