发明名称 元件与其形成方法
摘要
申请公布号 TWI488297 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW102118730 申请日期 2013.05.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 伍震威;周学良;苏柏智;柳瑞兴
分类号 H01L29/06;H01L29/78 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种元件,包括:第一导电型态的一半导体层;第二导电型态的一第一及第二主体区,位于该半导体层上,其中第一导电型态与第二导电型态相反;第一导电型态的一掺杂之半导体区,位于该第一及第二主体区之间并接触该第一与第二主体区;一闸极介电层,位于该第一及第二主体区与该掺杂之半导体区上;一第一与第二闸极,位于该闸极介电层上且各自与该第一与第二主体区重叠,其中该第一与第二闸极之间隔有一空间,该第一闸极电性内连线至该第二闸极,且该空间与该掺杂之半导体区重叠;以及一含金氧半之元件,位于该半导体层之表面且实质上择自高电压n型金氧半元件、低电压n型金氧半元件、低电压p型金氧半元件、高电压p型金氧半元件、与上述之组合所组成的群组。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号