Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mittels elektrochemischen Ätzens, Halbleitervorrichtung und Superjunction-Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Trench (162) wird in einem Halbleitersubstrat (500a) zwischen Mesas (161) eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet. Der Trench (162) erstreckt sich von einer Prozessoberfläche (101a) herab zu einer unteren beziehungsweise Bodenebene (BP). Eine Halbleiterschicht (190a) eines zweiten, komplementären Leitfähigkeitstyps wird auf Seitenwänden des Trenches (162) gebildet. Wenigstens in den Mesas (161) ist ein vertikales Fremdstoffkonzentrationsprofil vertikal zu der Prozessoberfläche (101a) nicht-konstant zwischen der Prozessoberfläche (101a) und der Bodenebene (BP). Ein Teil der Halbleiterschicht (190a) in dem Trench (162) wird durch elektrochemisches Ätzen entfernt. Danach bildet die Dicke der ausgesparten Halbleiterschicht (190a) das vertikale Fremdstoffkonzentrationsprofil in der Mesa (161) ab.