防止漏电流结构及其制造方法

主权项

一种防止漏电流结构，包含：一基板；一第一III-V族化合物层，厚度等于或小于50奈米，位于该基板上；一第二III-V族化合物层，厚度等于或小于100奈米，位于该第一III-V族化合物层上；及至少一半导体元件，位于该第二III-V族化合物层上；其中该第一III-V族化合物层与该第二III-V族化合物层接触，共同形成一高阻值层，用以防止该至少一半导体元件所产生的漏电流流至该基板，其中该高阻值层的电阻值为一万欧姆以上。