| 摘要 |
<p>방사능 경화 인버터는 입력 단자와 출력 단자 사이의 제1 및 제2 전기 경로를 포함한다. 제1 PFET는 제1 전기 경로에 배치되고, 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 제2 전기 경로에 배치된다. 제1 PFET는 입력 단자에서 로직(0) 신호를 출력 단자에서 로직(1) 신호로 변환하도록 구성되고, BJT는 입력 단자에서 로직(1) 신호를 출력 단자에서 로직(0) 신호로 변환하도록 구성된다. 방사능 경화 인버터는 제2 전기 경로에 배치된 제2 PFET를 포함한다. 제2 PFET는 BJT로부터 초과 전류를 빼내기 위한 경로를 제공하도록 구성된다. 방사능 경화 인버터는 또한 제2 전기 경로에 배치된 전류 제한 PFET를 포함한다. 전류 제한 PFET는 BJT의 베이스로 흐르는 전류를 제한하도록 구성된다. 방사능 경화 인버터는 NFET로부터 자유롭다.</p> |
