| 发明名称 | 增强型氮化镓电晶体元件 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI488303 | 申请公布日期 | 2015.06.11 |
| 申请号 | TW101148428 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 郭威宏;林素芳;宣融 |
| 分类号 | H01L29/778;H01L29/40 | 主分类号 | H01L29/778 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种增强型氮化镓电晶体元件，包括：一磊晶堆叠层，包括一未掺杂之GaN层，位于一基底上；一源极层与一汲极层位于该磊晶堆叠层的表面上；一p型金属氧化物层，位于该源极层与该汲极层之间，该p型金属氧化物层包括：一主体部，位于该磊晶堆叠层的表面上；以及多数个延伸部，连接该主体部，且延伸至该磊晶堆叠层中；以及一闸极层，位于该p型金属氧化物层上；其中该p型金属氧化物层包括p型载子浓度为1015/cm3至1×1019/cm3的NiOy层，其中1y1.2。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||