发明名称 用于等离子体处理腔室的静电夹盘元件及制造方法
摘要
申请公布号 TWI488260 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW101144499 申请日期 2012.11.28
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 贺 小明;倪图强
分类号 H01L21/683 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1
主权项 一种用于等离子体处理腔室的静电夹盘元件,包括:一基体:设置于该基体之上的一绝缘层;设置于该绝缘层之上的一电极;以及,由Y2O3/Al2O3或者YF3/Al2O3的混合物组成的一增强型涂层,该增强型涂层覆盖了该静电夹盘元件,除了该基体的背面的部分,该增强型涂层的孔隙度为小于1%。
地址 中国