发明名称 | 用于等离子体处理腔室的静电夹盘元件及制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI488260 | 申请公布日期 | 2015.06.11 |
申请号 | TW101144499 | 申请日期 | 2012.11.28 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 贺 小明;倪图强 |
分类号 | H01L21/683 | 主分类号 | H01L21/683 |
代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
主权项 | 一种用于等离子体处理腔室的静电夹盘元件,包括:一基体:设置于该基体之上的一绝缘层;设置于该绝缘层之上的一电极;以及,由Y2O3/Al2O3或者YF3/Al2O3的混合物组成的一增强型涂层,该增强型涂层覆盖了该静电夹盘元件,除了该基体的背面的部分,该增强型涂层的孔隙度为小于1%。 | ||
地址 | 中国 |