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<p>Es ist Verfahren zum Einbringen eines Prozessgases in einen unter Unterdruck stehenden Prozessraum für eine Plasma unterstützte chemische Gasphasenabscheidung einer Aluminiumoxidschicht und eine entsprechende Vorrichtung beschrieben. Bei dem Verfahren wird ein flüssiger Precursor aus Trimethylaluminium (TMA) mittels einer Dosierpumpe über ein Überströmventil zu einem Verdampfer, der in direkter Strömungsverbindung mit dem Prozessraum steht gefördert, der flüssige Precursor im Verdampfer verdampft und anschließend in den Prozessraum eingeleitet. Die Vorrichtung weist einen Prozessraum zur Aufnahme wenigstens eines Substrats, wenigstens eine mit dem Prozessraum in Verbindung stehende Einheit zum Erzeugen eines Unterdrucks im Prozessraum und wenigstens eine Einheit zum Erzeugen eines Plasmas benachbart zu oder an einer Oberfläche des wenigstens einen Substrats auf. Ferner ist ein gasdichter Vorratsbehälter zur Aufnahme und Lagerung eines flüssigen Precursors aus Trimethylaluminium (TMA) unter Ausschluss von Sauerstoff, wenigstens eine Dosierpumpe, die mit dem Vorratsbehälter in Verbindung steht, um darin aufgenommenen flüssigen Precursor zu fördern, wenigstens ein Überströmventil mit einem Eingang, der mit einem Ausgang der Dosierpumpe in direkter Strömungsverbindung steht, wobei das Überströmventil bei einem Druck von 1 Bar oder einem höheren Druck öffnet, und wenigsten ein Verdampfer vorgesehen. Der Verdampfer besitzt einen Eingang, der in direkter Strömungsverbindung mit einem Ausgang des Überströmventils steht, einen Ausgang, der in direkter Strömungsverbindung mit einem Eingang der Prozesskammer steht, und wenigstens eine Heizeinheit zum Erwärmen eines Verdampfungsraums, der zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Verdampfers liegt.</p> |
