| 发明名称 |
用于制造第III族氮化物晶圆之方法及第III族氮化物晶圆 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI487817 |
申请公布日期 |
2015.06.11 |
| 申请号 |
TW098106029 |
申请日期 |
2009.02.25 |
| 申请人 |
希波特公司 |
发明人 |
桥本忠朗;里特斯 艾德华;碇真宪 |
| 分类号 |
C30B29/38;C30B33/02;C30B7/10 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种制造第III族氮化物结晶物块之方法，其包括：(a)在足以于物块之表面聚集污染物之温度及压力下，对由氨热方法生长之第III族氮化物物块实施足够时间之退火；及(b)在步骤(a)后去除一定量之该物块之表面以减少该物块中该污染物之量。
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| 地址 |
美国 |
