多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体

摘要

多層電荷蓄積層を含む半導体メモリデバイスの実施形態及び当該半導体メモリデバイスを製造する方法を説明する。一般に、当該デバイスは、基板表面を覆う半導体材料から形成され、メモリデバイスのソースとドレインとを接続するチャネルと、チャネルを覆うトンネル酸化物層と、トンネル酸化物層上の酸素リッチな第１の酸窒化物層、及び、第１の酸窒化物層上の酸素リーンな第２の酸窒化物層を含む多層電荷蓄積層と、を備え、第１の酸窒化物層の化学量論的組成は、第１の酸窒化物層のトラップを実質的に無くし、第２の酸窒化物層の化学量論的組成は、第２の酸窒化物層のトラップ密度を高くする。ある実施形態では、当該デバイスは、チャネルに当接する複数の表面を有するゲートを含む非平面状トランジスタを備え、ゲートはトンネル酸化物層及び多層電荷蓄積層を備える。【選択図】図２