| 主权项 |
一种半导体结构，其包含：一第一半导体装置，该第一半导体装置包含配置于一基板上方之一第一半导体本体，该第一半导体本体具有一第一高度及一具有一第一水平平面之最上部表面；及一第二半导体装置，该第二半导体装置包含配置于该基板上方之一第二半导体本体，该第二半导体本体具有一第二高度及一具有一第二水平平面之最上部表面，其中，该等第一与第二水平平面共平面，且该第一与第二高度为不同；其中该第一半导体装置进一步包含至少部份地环绕该第一半导体本体之一部份的一第一闸极电极堆叠，且该第二半导体装置进一步包含至少部份地环绕该第二半导体本体之一部份的一第二闸极电极堆叠；其中该第一半导体装置进一步包含至少部份地环绕该第一半导体本体之各别部份的第一及第二接点，且该第二半导体装置进一步包含至少部份地环绕该第二半导体本体之各别部份的第三及第四接点；以及其中该第一半导体装置进一步包含分别配置于该第一闸极电极堆叠与该第一及第二接点之间的第一及第二间隔件，且其中该第二半导体装置进一步包含分别配置于该第二闸极电极堆叠与该第三及第四接点之间的第三及第四间隔件。
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