| 主权项 |
一种中空柱状凸块制程，包含：提供一半导体基板，其表面系设有至少一焊垫；形成一阻障层于该半导体基板上，该阻障层并连接至该焊垫；形成一第一光阻层于该阻障层上，并曝光显影该第一光阻层，以使该第一光阻层具有至少一在该焊垫上环形开孔，该环形开孔内系具有一独立遮柱；电镀形成至少一柱状凸块于该环形开孔内，该柱状凸块系结合于该阻障层并具有一顶面以及一中空部，该中空部系以该独立遮柱界定；移除该第一光阻层以及该独立遮柱；形成一第二光阻层于该阻障层上，该第二光阻层之厚度系大于该第一光阻层之厚度，以覆盖该柱状凸块之该顶面，并曝光显影该第二光阻层，以使该第二光阻层具有至少一对准该中空部且不显露该顶面之柱心开孔；电镀形成至少一焊料柱于该柱心开孔内，该焊料柱系结合于该阻障层并具有一高于该顶面之高度；以及移除该第二光阻层。 |
