| 摘要 |
<p>(과제) 하지(base)막의 에칭을 방지할 수 있는 질화 티탄막의 형성 방법, 질화 티탄막의 형성 장치 및 프로그램을 기록한 기록 매체를 제공한다. (해결 수단) 질화 티탄막의 형성 방법으로서는, 우선, 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에 의해 200℃∼350℃로 가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에 티탄 원료를 포함하는 성막용 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼(W)에 질화 티탄막을 형성한다. 이 티탄 원료에는, 염소 원자를 포함하지 않고 티탄을 포함하는 메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을 이용한다.</p> |
