| 发明名称 |
藉由蚀刻遮罩多侧之半导体设备解析度增强 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI488002 |
申请公布日期 |
2015.06.11 |
| 申请号 |
TW102134977 |
申请日期 |
2013.09.27 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
倪国安;王振裕;艾克曼 保罗;沈格拉朱 萨拉斯瓦蒂 |
| 分类号 |
G03F1/26 |
主分类号 |
G03F1/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种遮罩，包含：置于该遮罩之第一侧上的复数个第一相移区；以及置于该遮罩之第二侧上的复数个第二相移区，其中，该复数个第一相移区的第一相移区以及该复数个第二相移区的第二相移区系藉由沉积于该遮罩之该第一侧上的不透明材料予以分隔，其中，该不透明材料系置于半透明基底的第一侧上方，以及其中，该复数个第二相移区系藉由蚀刻该半透明基底的第二侧予以形成。
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| 地址 |
美国 |
