发明名称 电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法
摘要 本发明提供了一种电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法,电极的制作方法包括:在金属电极层上形成ZnON材料层;对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层;在所述微透镜结构层上形成透明电极层。本发明中,由于采用ZnON材料作为用于形成微透镜结构层的材料,能够在通过刻蚀的方式形成微透镜结构时,使用碱性或者酸性较弱的溶液,从而能够阻止金属电极层被腐蚀。
申请公布号 CN104701350A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201510094993.8 申请日期 2015.03.03
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 王东方;闫梁臣;上官荣刚
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李相雨
主权项 一种电极,其特征在于,包括:金属电极层、形成在所述金属电极层上的微透镜结构层、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层;其中,所述微透镜结构层采用ZnON材料制作。
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