划片槽阻隔分离型保护层半导体结构

摘要

本实用新型公开了一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，包括焊锡球，所述焊锡球下设有再布线金属层，所述再布线金属层下设有第一钝化层，所述第一钝化层下设有圆片衬底，所述第一钝化层外围的圆片衬底上设有圆片线路层，所述圆片线路层上设有至少一第一正性聚酰亚胺层，所述第一正性聚酰亚胺层位于所述圆片线路层与所述再布线金属层之间，每个第一正性聚酰亚胺层对应一第二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所述圆片线路层上，所述第一正性聚酰亚胺层与所述第二正性聚酰亚胺层之间设有第一开口。本实用新型通过设置第一开口，降低材料间由于膨胀系数不一致而引起的应力，有效提高工艺稳定性并降低由此导致的设备运行成本。

主权项

一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，包括焊锡球，所述焊锡球下设有再布线金属层，所述再布线金属层下设有第一钝化层，所述第一钝化层下设有圆片衬底，所述第一钝化层外围的圆片衬底上设有圆片线路层，其特征在于，所述圆片线路层上设有至少一第一正性聚酰亚胺层，所述第一正性聚酰亚胺层位于所述圆片线路层与所述再布线金属层之间，每个第一正性聚酰亚胺层对应一第二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所述圆片线路层上，所述第一正性聚酰亚胺层与所述第二正性聚酰亚胺层之间设有第一开口。