发明名称 | 栅氧化层完整性测试结构及测试方法 | ||
摘要 | 一种栅氧化层完整性测试结构及测试方法,所述测试结构包括:衬底,所述衬底具有隔离结构、和由隔离结构限定的有源区;位于所述有源区的多个间隔排列的测试单元,所述测试单元包括:晶体管,所述晶体管包括:位于所述衬底上的栅氧化层、和位于所述栅氧化层上的栅极,栅极两端具有延伸至所述隔离结构上方的第一测试端和第二测试端;与所述第一测试端接触、并电连接的第一接触插塞;与所述第二测试端接触、并电连接的第二接触插塞。解决了利用现有包含多个小面积测试单元的栅氧化层完整性测试结构进行测试时,测试方法较为复杂的问题。 | ||
申请公布号 | CN104701298A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201310654505.5 | 申请日期 | 2013.12.05 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 廖淼 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种栅氧化层完整性测试结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底具有隔离结构、和由所述隔离结构限定的有源区;位于所述有源区的多个间隔排列的测试单元,所述测试单元包括:晶体管,所述晶体管包括:位于所述衬底上的栅氧化层、和位于所述栅氧化层上的栅极,所述栅极两端具有延伸至所述隔离结构上方的第一测试端和第二测试端;与所述第一测试端接触、并电连接的第一接触插塞;与所述第二测试端接触、并电连接的第二接触插塞。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |