发明名称 |
半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法 |
摘要 |
半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方,半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方,同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割,同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。 |
申请公布号 |
CN104701195A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201410858205.3 |
申请日期 |
2014.10.31 |
申请人 |
新科金朋有限公司 |
发明人 |
林耀剑;P·C·马里穆图;沈一权;韩丙濬 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蒋骏;姜甜 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体管芯;在所述半导体管芯上方和周围沉积密封剂;从所述半导体管芯的表面移除所述密封剂的一部分;以及在所述半导体管芯上方和所述半导体管芯的覆盖区内形成互连结构。 |
地址 |
新加坡 |