| 发明名称 | 通过使用组合外延生长减少变化 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通过使用组合外延生长减少变化的方案，其中具体公开了一种用于形成半导体结构的方法，包括：在晶圆中的半导体衬底之上形成栅极堆叠件；在半导体衬底中以及与栅极堆叠件相邻地形成凹槽；以及执行选择外延生长以在凹槽中生长半导体材料，从而形成外延区域。执行选择外延生长的步骤包括：利用在第一生长阶段中使用的工艺气体的第一E/G比率执行第一生长阶段；以及利用不同于第一E/G比率的、在第二生长阶段中使用的工艺气体的第二E/G比率执行第二生长阶段。 | ||
| 申请公布号 | CN102646596B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201210008193.6 | 申请日期 | 2012.01.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑有宏;李启弘;李资良;林逸宏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体结构的方法，包括：执行选择外延生长以形成与半导体衬底的表面相邻的外延区域，其中，执行所述选择外延生长的步骤包括：利用在第一生长阶段中使用的工艺气体的第一生长‑蚀刻比率执行所述第一生长阶段；以及利用在第二生长阶段中使用的工艺气体的第二生长‑蚀刻比率执行所述第二生长阶段，其中，所述第一生长‑蚀刻比率小于均匀生长生长‑蚀刻比率，并且所述第二生长‑蚀刻比率大于所述均匀生长生长‑蚀刻比率。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||