| 发明名称 | 磁存储器件及其制造方法、反应室 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。 | ||
| 申请公布号 | CN102522498B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201110441857.3 | 申请日期 | 2005.01.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金泰完;车国麟;金大植 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;G11C11/16(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 冯玉清 |
| 主权项 | 一种磁存储器件，其包括开关装置和连接到所述开关装置的MTJ单元，其中所述MTJ单元包括：一连接到所述开关装置的下电极；和依次堆叠在所述下电极上的一下磁层、一包含氟的隧穿膜、一上磁层和一盖帽层，其中所述隧穿膜的氟仅均匀地分布在所述隧穿膜的表面，使得所述隧穿膜在整个区域上具有均匀的厚度，且其中所述隧穿膜是单层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||