发明名称 |
蓝宝石衬底的拼接曝光方法 |
摘要 |
本发明提供了一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法,包括:在曝光前,根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形,所述掩模图形包括透光区域和不透光区域,所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成;在曝光时,通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光,且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接;所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部,以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。本发明通过冗余部的设计,使得拼接位置对应的能量能够达到阈值能量,实现残胶消除。同时,由于拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致,故而就不会产生关键尺寸(CD)的变化。 |
申请公布号 |
CN104698769A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201310671769.1 |
申请日期 |
2013.12.10 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司 |
发明人 |
覃宗伟;熊威;张家锦;章磊 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法,包括:在曝光前,根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形,所述掩模图形包括透光区域和不透光区域,所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成;在曝光时,通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光,且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接;其特征在于:所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部,以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张东路1525号 |