发明名称 蓝宝石衬底的拼接曝光方法
摘要 本发明提供了一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法,包括:在曝光前,根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形,所述掩模图形包括透光区域和不透光区域,所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成;在曝光时,通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光,且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接;所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部,以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。本发明通过冗余部的设计,使得拼接位置对应的能量能够达到阈值能量,实现残胶消除。同时,由于拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致,故而就不会产生关键尺寸(CD)的变化。
申请公布号 CN104698769A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201310671769.1 申请日期 2013.12.10
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 覃宗伟;熊威;张家锦;章磊
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种蓝宝石衬底的拼接曝光方法,包括:在曝光前,根据蓝宝石衬底表面欲制作的图形在一个掩模上制作掩模图形,所述掩模图形包括透光区域和不透光区域,所述不透光区域由规则排布于所述透光区域上的若干单位图形组成;在曝光时,通过该掩模对所述蓝宝石衬底表面的所有曝光区域进行曝光,且相邻两个曝光区域的曝光图案实现拼接;其特征在于:所述掩模图形的边界处向外侧设有透光的冗余部,以增强相邻两个曝光区域拼接处的曝光能量。
地址 201203 上海市浦东新区张东路1525号