光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/ 硅基材料膜的设计方法

摘要

本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×C_Si/100-6×C_M/100>1，其中C_Si是以原子％计的硅含量和C_M是以原子％计的过渡金属含量。

主权项

与在其上形成包含过渡金属、硅、氧和氮的材料的过渡金属/硅基材料膜的图案的光掩模相结合，一种用于设计过渡金属/硅基材料膜使得可限制膜图案在通过ArF准分子激光照射导致的图案线宽变化中的劣化的方法，该方法包括步骤：提供具有至少3原子％氧含量的过渡金属/硅基材料膜，由过渡金属/硅基材料层，具有至少两个叠置的这种层的多层结构，或者远离该衬底设置且厚度至多10nm的表面氧化的层与这种层或多层结构的组合构成过渡金属/硅基材料膜，和选择过渡金属/硅基材料的硅含量C_Si和过渡金属含量C_M以满足下式(1)：4×C_Si/100‑6×C_M/100>1                (1)其中C_Si是以原子％计的硅含量和C_M是以原子％计的过渡金属含量。