| 发明名称 | 高介电性膜 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN104704046A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201380051473.8 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 大金工业株式会社 | 发明人 | 立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;仲村尚子;茂内普巳子;硲武史;木下雅量;高明天;石川卓司;井口贵视;内田一畅;深谷伦行;北原隆宏;小谷哲浩 |
| 分类号 | C08L27/16(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08K3/20(2006.01)I;G02B3/14(2006.01)I;G02B26/00(2006.01)I;G02B26/02(2006.01)I;G02F1/19(2006.01)I;H01G4/18(2006.01)I | 主分类号 | C08L27/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;张志楠 |
| 主权项 | 一种高介电性膜，其特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||