非易失性存储器阵列以及使用非易失性存储器阵列来进行分段字编程的方法

摘要

非易失性存储器装置包括非易失性存储器单元的N个平面(102a,102b)（其中N为大于1的整数）。非易失性存储器单元(10)的每个平面包括按行(22)和列(20)配置的多个存储器单元。所述N个平面中的每个均包括栅线(26,14,28)，所述栅线跨过在其中的所述存储器单元的所述行来延伸，但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面的其它平面。控制器被配置为将多个数据字中的每个分成N个分段字，并且将每个数据字的N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。所述控制器针对所述编程使用编程电流和编程时间周期，并且可被配置为以因数改变所述编程电流，并且以所述因数相反地改变所述编程时间周期。

主权项

一种非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器单元的N个平面，其中N为大于1的整数，其中非易失性存储器单元的每个平面包括按行和列配置的多个存储器单元，并且其中所述N个平面中的每个包括栅线，所述栅线跨过所述N个平面中的所述存储器单元的行来延伸，但不延伸到非易失性存储器单元的N个平面中的其它平面；控制器，所述控制器被配置为：　将多个数据字中的每个分成N个分段字，并且　将每个数据字的所述N个分段字中的每个编程到非易失性存储器单元的N个平面中的不同的一个中。