FinFET器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种FinFET器件的形成方法，包括：提供衬底，形成若干第一鳍；在衬底上形成伪栅；在衬底、第一鳍以及伪栅上覆盖层间介质层；平坦化层间介质层使伪栅露出；去除伪栅；形成侧壁向内凹陷的第二鳍；在间隙中形成横跨并包覆暴露出的第二鳍的栅极结构。本发明还提供一种FinFET器件，包括：鳍、栅极结构以及层间介质层，其中，鳍的侧壁向内凹陷。本发明的有益效果在于，通过使所述第二鳍的侧壁向内凹陷，使得后续形成的栅极结构与第二鳍之间的接触面积更大，从而提升了栅极结构对于第二鳍的控制能力，减小漏电流问题。

主权项

一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成若干第一鳍；在所述衬底上形成若干横跨所述第一鳍的伪栅；在所述衬底、第一鳍以及伪栅上覆盖层间介质层；平坦化所述层间介质层，使所述伪栅露出；去除所述伪栅，以在所述层间介质层中形成若干间隙，所述间隙暴露出部分衬底以及部分第一鳍；对所述间隙中的暴露出的第一鳍进行蚀刻，以形成侧壁向内凹陷的第二鳍；在间隙中形成横跨并包覆所述暴露出的第二鳍的栅极结构。