| 发明名称 | 制造包括多个双极晶体管的IC的方法和包括多个双极晶体管的IC | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括多个双极晶体管，所述双极晶体管包括第一类型双极晶体管和第二类型双极晶体管，该方法包括：提供包括多个第一隔离区域(12)的衬底(10)，每个第一隔离区域通过包括所述双极晶体管之一的集电极杂质的有源区(11)与第二隔离区域隔开；在所述衬底上形成基极叠层(14)；在第一类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层(14’)；在第二类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有不同于第一有效厚度的第二有效厚度的第二发射极覆盖层(14’)；以及在每个所述双极晶体管的发射极覆盖层上形成发射极(24)。还公开了根据这种方法制成的IC。 | ||
| 申请公布号 | CN102915964B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201210270055.5 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 汉斯·莫腾斯;约翰尼斯·唐克斯;埃弗利娜·格里德莱特;托尼·范胡克;皮特鲁斯·马尼 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造集成电路的方法，所述集成电路包括多个双极晶体管，所述双极晶体管包括第一类型双极晶体管和第二类型双极晶体管，所述方法包括：提供包括多个第一隔离区域(12)的衬底(10)，每个第一隔离区域通过包括所述双极晶体管中之一的集电极杂质的有源区(11)与第二隔离区域隔开；在所述衬底上形成基极叠层(14)；在第一类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层(14’)；在第二类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有不同于第一有效厚度的第二有效厚度的第二发射极覆盖层(14’)；以及在每个所述双极晶体管的发射极覆盖层上形成发射极(24)；其中形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层和具有第二有效厚度的第二发射极覆盖层的步骤包括：将第一发射极覆盖层和第二发射极覆盖层同时生长至第一厚度；在第一发射极覆盖层上选择性地形成外延生长抑制层(50)；将第二发射极覆盖层外延生长至第二厚度；以及从第一发射极覆盖层上去除所述外延生长抑制层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||