| 发明名称 | 磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括：图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；在MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；在相同的真空环境中原位实施图案化的步骤以及形成介电保护层的步骤；在介电保护层上实施等离子处理以将介电保护层转变成处理过的介电保护层，由此，处理过的介电保护层改进了对H<sub>2</sub>O或O<sub>2</sub>以及因此引起的退化的防护。本发明还提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102956815B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201210011659.8 | 申请日期 | 2012.01.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 唐邦泰;蔡正原 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种用于形成磁矩随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：图案化多个磁隧道结(MTJ)层以形成MTJ单元；在所述MTJ单元的顶面上方及其侧壁上形成介电保护层；实施处理以将所述介电保护层转变成处理过的介电保护层，其中，所述处理包括含氮气的气体；以及在所述处理过的介电保护层上方形成介电层，其中，所述处理将所述介电保护层的至少顶部从SiN转变成SiNH。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||