发明名称 |
一种功率半导体模块以及应用其的电力电子设备 |
摘要 |
本发明提供了一种功率半导体模块以及应用其的电力电子设备,包括上桥臂电路、容纳上桥臂电路的箱型的第一外壳、下桥臂电路以及容纳下桥臂电路的箱型的第二外壳,其中,上桥臂电路以及容纳上桥臂电路的箱型的第一外壳进行独立封装成第一模块,下桥臂电路以及容纳下桥臂电路的箱型的第二外壳进行独立封装成第二模块,即采用本发明提供的半导体模块构成的三电平变频器的每一相只包括两个模块,相比现有技术中变频器中每一相的模块数减少,使得各个模块之间需要的外接连接线路减少,进而降低了各个模块的功率消耗,同时,采用本发明提供的半导体模块构成的三电平变频器相互连接后的变频器的电路体积减小,进而减小了制作成本。 |
申请公布号 |
CN102739069B |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201210200551.3 |
申请日期 |
2012.06.18 |
申请人 |
深圳市英威腾电气股份有限公司 |
发明人 |
申大力 |
分类号 |
H02M5/45(2006.01)I |
主分类号 |
H02M5/45(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 |
代理人 |
唐华明 |
主权项 |
一种功率半导体模块,其特征在于,包括独立封装的第一模块以及独立封装的第二模块,所述第一模块包括上桥臂电路以及容纳所述上桥臂电路箱型的第一外壳,所述第二模块包括下桥臂电路以及容纳所述下桥臂电路箱型的第二外壳,其中,所述上桥臂电路包括:第一箝位二极管、第一开关元件以及第二开关元件,所述第一开关元件和所述第二开关元件均包括逆并联连接的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和续流二极管(FWD),所述第一箝位二极管的输出端分别与所述第一开关元件中IGBT的发射极以及所述第二开关元件中IGBT的集电极相连;所述下桥臂电路包括:第二箝位二极管、第三开关元件以及第四开关元件,所述第三开关元件和所述第四开关元件均包括逆并联连接的IGBT和FWD,所述第二箝位二极管的输入端分别与所述第三开关元件中IGBT的发射极以及所述第四开关元件中IGBT的集电极相连;所述第二开关元件中IGBT的发射极与所述第三开关元件中IGBT的集电极相连,所述第一箝位二极管的输入端与所述第二箝位二极管的输出端相连。 |
地址 |
518055 广东省深圳市南山区龙井高发科技工业园4号厂房 |