MIM电容器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种MIM电容器，该电容器的第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；同时，本发明还公开了一种MIM电容器的制备方法，该方法制备出的MIM电容器，其第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；并且该方法在对每批次晶片进行金属溅射之前，首先检测溅射机台的停机时间，从而避免了因溅射机台工艺不稳定而造成溅射金属的晶粒过小，导致在刻蚀过程中产生的金属残留问题。

主权项

一种MIM电容器，其特征在于，包括：第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；绝缘层，位于所述第一导电层上；第二导电层，位于所述绝缘层上，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；其中，所述第一导电层及所述第二导电层的材料为金属铝，所述第一导电层及所述第二导电层的沉积方法为溅射，所述第一导电层及所述第二导电层的溅射条件为：溅射功率：10000W～12000W，压力：2mTorr～6mTorr，温度：250℃～280℃。