一种X射线辐射探测器用闪烁屏结构

摘要

本发明涉及一种X射线辐射探测器用闪烁屏结构，包括硅衬底；在所述硅衬底上通过激光蒸镀工艺沉积碘化铯杂化膜，所述碘化铯杂化膜为掺杂铊和硼的碘化铯厚膜；并且在所述碘化铯厚膜上沉积有透明阻水膜，所述透明阻水膜的可见光透过率≥90%，水蒸气透过率≤0.01g•m^-2•day^-1。本发明所述的X射线辐射探测器用闪烁屏结构，不但所述的闪烁屏结构致密、成分均匀、与衬底的粘结性良好，而且所述的封装结构具有优异的阻水防水性能。

主权项

一种X射线辐射探测器用闪烁屏结构，包括硅衬底；其特征在于：在所述硅衬底上通过激光蒸镀工艺沉积碘化铯杂化膜，所述碘化铯杂化膜为掺杂铊和硼的碘化铯厚膜；并且在所述碘化铯厚膜上沉积有透明阻水膜，所述透明阻水膜为SiON膜；所述激光蒸镀的工艺如下：将99wt％的CsI晶体粉末、0.95‑0.98wt％的TaI晶体粉末和0.02‑0.05wt％的三氧化二硼混合均匀后压制成薄片作为靶材；采用Nd:YAG激光器，所述Nd:YAG激光器的激光脉冲功率为10⁷W/cm²，频率为2000Hz，脉冲宽度为100ns，扫描速度为5‑10cm/s，基片与靶材之间的距离为70‑72.5cm，沉积温度为350‑380℃，沉积的碘化铯杂化膜的厚度为0.1‑1mm；所述SiON膜是以SiH₄、NH₃、N₂O和H₂为原料气体，采用PECVD方法沉积得到，其中SiH₄的流速为200‑300sccm、NH₃的流速为100‑200sccm、N₂O的流速为300‑500sccm、H₂的流速为2000‑3000sccm，射频频率为13.56MHZ，射频功率为100‑120W，工作压强为1.5‑2.5torr，沉积温度为200‑250℃，膜厚为5‑10μm，所述透明阻水膜对可见光的透过率≥92％，其在38℃以及相对湿度为90％的条件下，水蒸气透过率≤0.01g·m^‑2·day^‑1。