发明名称 | 成形物、成形物的制备方法、电子装置元件和电子装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种成形体,其特征在于具有通过将硅化合物的离子注入聚合物层得到的离子注入层。本发明也公开了:所述成形体的制备方法,所述方法包括将硅化合物的离子注入成形体的聚合物层表面部分,所述成形体在其表面包括聚合物层;一种由所述成形体组成的电子装置元件;和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此,本发明提供:具有优良的阻气性质、弯曲抗性和表面平滑性的成形体;所述成形体的制备方法;由所述成形体组成的电子装置元件;和提供有所述电子装置元件的电子装置。 | ||
申请公布号 | CN102388160B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201080015641.4 | 申请日期 | 2010.03.24 |
申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 星慎一;近藤健;上村和惠;铃木悠太 |
分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李进;李炳爱 |
主权项 | 一种成形物,其特征在于,包含通过向含聚有机硅氧烷化合物的层施加‑1kV~‑50kV的高电压脉冲的等离子体离子注入方法将硅化合物的离子注入所述含聚有机硅氧烷化合物的层得到的离子注入层,所述硅化合物是SiH<sub>4</sub>或有机硅化合物,在所述含聚有机硅氧烷化合物层中聚有机硅氧烷化合物的含量为50重量%或者更多。 | ||
地址 | 日本东京都 |