| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置的制造方法，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。在对于可见光透明的半导体基板（1）的表面形成源极电极（2）以及漏极电极（3）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间形成表面侧栅极电极（4）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间以外的区域形成对准标记（5）。基于能够透过半导体基板（1）观察到的对准标记（5），对半导体基板（1）进行对位，在半导体基板（1）的背面，在与表面侧栅极电极（4）对置的位置形成背面侧栅极电极（6）。 | ||
| 申请公布号 | CN102832132B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201210191772.9 | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 加茂宣卓 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在对于可见光透明的半导体基板的表面形成源极电极以及漏极电极；在所述半导体基板的表面，在所述源极电极和所述漏极电极之间形成表面侧栅极电极；在所述半导体基板的表面，在所述源极电极和所述漏极电极之间以外的区域形成对准标记；基于能够透过所述半导体基板观察到的所述对准标记，对所述半导体基板进行对位，在所述半导体基板的背面，在与所述表面侧栅极电极对置的位置形成背面侧栅极电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||