发明名称 |
一种掺纳米导电粒子的PDLC薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种掺纳米导电粒子的PDLC薄膜,由丙烯酸改性聚氨酯、TMPTA单体稀释剂、石墨烯纳米导电粒子、消泡剂和液晶在常温状态下以100~300r/min的转速搅拌60~120分钟,随后经能量为150~300keV的电子束辐射固化0.1~0.3秒制得;本发明提供的掺纳米导电粒子的PDLC薄膜,将石墨烯纳米导电粒子与传统的PDLC薄膜相结合,从介电常数与液晶取向方面降低了PDLC薄膜的驱动电压,不须改变制备PDLC薄膜本身所用主体原料,因而保证了PDLC薄膜原有的光电特性,该PDLC薄膜的驱动电压低,并且具有良好的热稳定性和机械稳定性,制备工艺简单。 |
申请公布号 |
CN104698668A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201510145700.4 |
申请日期 |
2015.03.30 |
申请人 |
北京三五九投资有限公司 |
发明人 |
钱俊;温少强;马立胜;唐超群;高峰 |
分类号 |
G02F1/1334(2006.01)I;C08F290/00(2006.01)I;C08F2/54(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1334(2006.01)I |
代理机构 |
武汉华旭知识产权事务所 42214 |
代理人 |
刘荣;周宗贵 |
主权项 |
一种掺纳米导电粒子的PDLC薄膜,其特征在于:PDLC薄膜由30~40质量份的丙烯酸改性聚氨酯、10~20质量份的TMPTA单体稀释剂、4~6质量份的石墨烯纳米导电粒子、2~3质量份的消泡剂和40~50质量份的液晶经混合、固化制备而成。 |
地址 |
101300 北京市顺义区机场东路澜西园三区37号办公楼南楼三层 |