存储器器件及其制造方法

摘要

本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。

主权项

一种磁存储器器件，包括：基板；以及在所述基板上的磁隧道结存储器元件，其中所述磁隧道结存储器元件包括：参考磁层，包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层，其中所述交换耦合层在所述第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，其中所述第二被钉扎层包括铁磁层和非磁性层，隧道阻挡层，其中所述第二被钉扎层在所述第一被钉扎层和所述隧道阻挡层之间，和自由磁层，其中所述隧道阻挡层在所述参考磁层和所述自由磁层之间。