发明名称 |
加强型无损吸收电路 |
摘要 |
本实用新型公开了加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端、输出端经由电感连接负载。实施本实用新型的加强型无损吸收电路,具有以下有益效果:通过在大功率开关电源中采用无损吸收方式,可有效地降低和抑制整流二极管的电压尖峰。 |
申请公布号 |
CN204392077U |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201520113476.6 |
申请日期 |
2015.02.16 |
申请人 |
苏州汇川技术有限公司 |
发明人 |
刘志军;黄落城 |
分类号 |
H02M1/34(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/34(2007.01)I |
代理机构 |
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 |
代理人 |
陆军 |
主权项 |
一种加强型无损吸收电路,其特征在于,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端,输出端经由电感连接负载。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区旺山工业园友翔路北侧 |