一种大面积硫化镉薄膜的制备方法

摘要

一种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法制备大面积硫化镉薄膜制备方法，其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备用磁控溅射法制备钼电极并且用共蒸发的方法制备铜铟镓硒薄膜，在该复合衬底表面用化学水浴法在低氨条件下制备大面积CdS薄膜使用转子来调控薄膜生长均匀性。本发明的优点是：该种基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法制备大面积硫化镉薄膜制备方法结晶质量好，致密无针孔，有很好的附着性并且具有高的透过率其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，在工业生产中具有极其重要的应用前景。

主权项

基于铜铟镓硒衬底使用化学水浴法制备大面积硫化镉薄膜制备。其特征在于：衬底由玻璃衬底上制备的MO和CIGS复合衬底构成，使用化学水浴法制备CdS缓冲层，使用低氨方法降低环境污染和对操作员健康的危害，在使用氨水和缓冲计共同作用下调节PH控制反应生长，为较大面积的制备，可以应用与工业生产当中。