| 发明名称 | 具有应变层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明描述了半导体器件及其制造方法，半导体器件包括含有至少一个鳍的衬底、形成在至少一个鳍的顶面上的至少一个栅极堆叠件、形成在至少一个鳍的顶面上的第一层间介电(ILD)层、以及至少形成在至少一个栅极堆叠件的顶面上的应变层，其中，应变层配置为对至少一个栅极堆叠件提供应变力。 | ||
| 申请公布号 | CN104701377A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201410734213.7 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张伦玮;孙韵茹;山本知成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，包括至少一个鳍；至少一个栅极堆叠件，形成在所述至少一个鳍的顶面上；第一层间介电(ILD)层，形成在所述至少一个鳍的顶面上；应变层，至少形成在所述至少一个栅极堆叠件的顶面上；其中，所述应变层配置为对所述至少一个栅极堆叠件提供应变力。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||