发明名称 |
NOR型存储器电路及操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种NOR型存储器电路,该电路改进了传统的每一存储单元需使用一存储管配合一选择管的结构,使用两存储单元共用一选择管的结构,没存储2位数据即可节省一个选择管,简化电路结构,缩小了存储器芯片的面积。本发明还公开了所述NOR型存储器电路的操作方法。 |
申请公布号 |
CN104700893A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201310669476.X |
申请日期 |
2013.12.10 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
张可钢;陈华伦 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种NOR型存储器电路,其特征在于:存储单元由3个晶体管组成,包含第一、第二存储管和一个选择管,所述第一、第二存储管的漏端接位线,其源端分别连接所述选择管的源、漏端;所述第一、第二存储管的栅极分别引出为第一、第二存储管字线,所述选择管的栅极引出为选择管字线;所述存储管的源端还分别引出存储单元的第一、第二源线端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |