发明名称 |
背接触异质结太阳电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池,它包括硅片基体层,硅片基体层的背面具有P型接触区域和N型接触区域,P型接触区域呈向硅片基体层凹陷的内曲面结构,并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层、发射极、导电介质层和发射极电极;N型接触区域由内至外依次为背面本征层、背电场层、导电介质层和背电场电极。本实用新型不仅可以改善背接触异质结太阳电池的结特性,而且有助于入射光在基底内部的广角散射,增加吸收层的有效光程,进而提升电池的整体性能。 |
申请公布号 |
CN204391126U |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201420853155.5 |
申请日期 |
2014.12.29 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
郭万武 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
常州市科谊专利代理事务所 32225 |
代理人 |
孙彬 |
主权项 |
一种背接触异质结太阳电池,包括硅片基体层(1),其特征在于,硅片基体层(1)的背面具有P型接触区域和N型接触区域,P型接触区域呈向硅片基体层(1)凹陷的内曲面结构,并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层(5)、发射极(6)、导电介质层(8)和发射极电极(9);N型接触区域由内至外依次为背面本征层(5)、背电场层(7)、导电介质层(8)和背电场电极(10)。 |
地址 |
213022 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |