用于高功率的、基于GaN的FET的布图设计

摘要

用于高功率的、基于GaN的FET的布图设计。FET，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的沟道层和沟道层上的阻挡层。源电极、栅电极和漏电极，在阻挡层上并纵向延伸。沟道层和阻挡层的一部分限定纵向延伸的台面结构，源电极和漏电极延伸越过台面结构的边缘。栅电极沿台面结构的边缘侧壁延伸。导电源极互连部在缓冲层上，具有电连接至源电极的第一端。第一介电层在缓冲层上，在源极互连部上。栅极通路在第一介电层中。导电栅极节点沿缓冲层延伸，电连接沿台面结构的侧壁延伸的栅电极的部分。栅极衬垫在邻近台面结构的第一介电层上。导电栅极连接带在栅极节点上并接触。栅极带与栅极衬垫电接触。源极通路在第一介电层中，源极衬垫在源极通路中。导电源极互连部有与源极衬垫电接触的第二端。

主权项

一种FET，包括：第一组指状阵列和第二组指状阵列，每一组指状阵列都包括源极、栅极和漏极；第一源极衬垫，电连接至所述第一组指状阵列中的源电极；第二源极衬垫，电连接至所述第二组指状阵列中的源电极；公共的漏极衬垫，电连接至所述第一组指状阵列和所述第二组指状阵列中的漏电极，其中所述公共的漏极衬垫布置在所述第一组指状阵列和所述第二组指状阵列之间，其中各个指状物均沿一个共同方向延伸；第一栅极衬垫，电连接至所述第一组指状阵列中的栅电极；第二栅极衬垫，电连接至所述第二组指状阵列中的栅电极；以及衬底，其上布置了所述第一组指状阵列、所述第二组指状阵列、所述第一源极衬垫、所述第二源极衬垫、所述公共的漏极衬垫、所述第一栅极衬垫和所述第二栅极衬垫。