| 摘要 |
일 측면에 따른 성막 장치에서는, 배치대가 축선 중심으로 회전함으로써, 기판 배치 영역에 배치된 기판이 처리 용기 내의 제1 영역 및 제2 영역을 순서대로 통과한다. 제1 영역에는, 전구체 가스가 공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마 생성부에 의해, 반응 가스의 플라즈마가 생성된다. 플라즈마 생성부는, 플라즈마원으로서 마이크로파를 공급하는 안테나를 갖는다. 안테나는, 유전체제의 창 부재 및 도파관을 포함하고 있다. 창 부재는, 제2 영역 위에 설치되어 있다. 도파관은, 창 부재 상에 설치되어 있다. 도파관은, 축선에 대하여 방사 방향으로 연장되는 도파로를 획정하고 있다. 도파관에는, 도파로로부터 창 부재를 향해 마이크로파를 통과시키기 위한 복수의 슬롯 구멍이 형성되어 있다. 창 부재의 하면은, 축선에 대하여 방사 방향으로 연장되는 홈을 획정하고 있다. |
