发明名称 一种用于氮化硅陶瓷抛光的抛光粉制备方法
摘要 本发明公开了一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法,特征在于该方法具有以下工艺步骤:在反应器中,按质量百分浓度加入8%~11%的氯化铈,28%~38%的三氧化铬,2%~5%十二烷基苯磺酸钠溶解于水中,再加入10%~20%的三氧化二铝, 32%~45%的氮化硼,搅拌呈浆液,再将3%~8%草酸溶解于水后加入,各组分之和为百分之百,水不计入组分,常压下,搅拌,加入热85℃,反应18~24h,使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈,固液分离,在1100℃~1150℃焙烧5~8h,冷却后,经气流粉碎,即得氮化硅陶瓷抛光粉。该抛光粉具有研磨硬度高、粉体抛光效果好,光泽度,无划痕,平整度高,粉的用量少。
申请公布号 CN104694017A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201510126391.6 申请日期 2015.03.23
申请人 济南大学 发明人 李慧芝;庄海燕;孙旦子
分类号 C09G1/02(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法,特征在于该方法具有以下工艺步骤:在反应器中,按质量百分比加入8%~11%的氯化铈,28%~38%的三氧化铬,2%~5%十二烷基苯磺酸钠溶解于水中,再加入10%~20%的三氧化二铝, 32%~45%的氮化硼,搅拌呈浆液,再将3%~8%草酸溶解于水后加入,各组分之和为百分之百,水不计入组分,常压下,搅拌,加入热85℃,反应18~24h,使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈,固液分离,在1100℃~1150℃焙烧5~8h,冷却后,经气流粉碎,即得氮化硅陶瓷抛光粉,所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2~2.0μm的范围内。
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