| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：第一层叠结构，其具有彼此交替形成的第一导电层和第一绝缘层；第一半导体图案，其穿通第一层叠结构；耦接图案，其与第一半导体图案耦接；以及缝隙，其穿通第一层叠结构和耦接图案。 | ||
| 申请公布号 | CN104701322A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201410258002.0 | 申请日期 | 2014.06.11 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李起洪;皮昇浩;李承俊 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一层叠结构，其包括彼此交替形成的第一导电层和第一绝缘层；第一半导体图案，其穿通所述第一层叠结构；耦接图案，其与所述第一半导体图案耦接；以及缝隙，其穿通所述第一层叠结构和所述耦接图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||