发明名称 |
产生纳米结晶石墨的独立式薄膜方法 |
摘要 |
本发明涉及一种产生纳米结晶石墨的独立式薄膜的方法,该方法包括以下步骤:提供独立式非晶碳薄膜,在惰性气氛中或者在真空中将该独立式薄膜加热到高温;以及允许该独立式薄膜冷却;作为其结果,形成纳米结晶石墨的独立式薄膜。非晶碳的薄膜众所周知,并且被使用在例如在透射电子显微镜中的相位片中,或者作为样品载体(图5A)。缺点是膜暴露在电子束可以导致在膜中的电子改变,产生所谓脚印(504)。使用结晶石墨膜克服了该问题,但是通常以微米数量级的晶体的大小干扰高质量成像。因此,存在针对纳米结晶石墨碳膜的需要。本发明公开了如何制备这些膜,并且公开了这样的膜的某些用途。如在图5B中可见的那样,没有脚印出现。 |
申请公布号 |
CN104701122A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201410726248.6 |
申请日期 |
2014.12.04 |
申请人 |
FEI 公司;马克斯·普朗克索赔科学公司 |
发明人 |
B. 布伊斯塞;R. S. 达内夫;K. S. 萨德 |
分类号 |
H01J37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张凌苗;张懿 |
主权项 |
一种用于产生纳米结晶石墨的独立式薄膜的方法,所述方法包括以下步骤:· 提供非晶碳的独立式薄膜,· 在惰性气氛中或者在真空中,将该独立式薄膜局部地加热到高温;以及· 允许该独立式薄膜冷却;作为其结果,形成纳米结晶石墨的独立式薄膜。 |
地址 |
美国俄勒冈州 |