发明名称 |
溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料 |
摘要 |
本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜:向真空室(3)提供第一和第二靶材(1,2),使得第一和第二靶材(1,2)的溅射表面(11,21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置,同时向第一和第二靶材(1,2)供应电能,并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件,使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。 |
申请公布号 |
CN104694901A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201410738665.2 |
申请日期 |
2014.12.05 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
笹本纮平;深谷创一;中川秀夫;稻月判臣 |
分类号 |
C23C14/54(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;G03F1/68(2012.01)I |
主分类号 |
C23C14/54(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李英 |
主权项 |
用于在衬底上溅射沉积膜的方法,其包括以下步骤:向真空室提供第一和第二靶材,使得待溅射的第一和第二靶材的表面可面向待涂覆的衬底并且彼此平行或倾斜布置,同时向第一和第二靶材提供电能,和在该衬底上沉积溅射颗粒同时控制第一和第二靶材的溅射条件,使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过其溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。 |
地址 |
日本东京 |