发明名称 一种快速响应的低压差线性稳压器
摘要 本发明涉及一种快速响应的低压差线性稳压器,包括带隙基准、运算放大器、反馈电阻串和功率管,带隙基准用于产生基准电压Vref并输入给运算放大器的负向输入端,反馈电阻串连接至运算放大器的正向输入端,反馈电阻串的一端接功率管的漏端,反馈电阻串的另一端接地,功率管的源端接V<sub>DD</sub>电源,功率管的栅端接运算放大器的输出端,还包括参考电压生成电路、NMOS管M1和PMOS管M2,参考电压生成电路的输入端接带隙基准,参考电压生成电路生成参考电压vbn和参考电压vbp。本发明解决了现有的低压差线性稳压器LDO功耗高的技术问题,本发明通过增加部分辅助电路,避免了过大的压降和过冲。
申请公布号 CN104699162A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201510142142.6 申请日期 2015.03.27
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 成俊
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 张倩
主权项 一种快速响应的低压差线性稳压器,包括带隙基准(16)、运算放大器(13)、反馈电阻串(15)和功率管(14),所述带隙基准用于产生基准电压Vref并输入给运算放大器(13)的负向输入端,所述反馈电阻串(15)连接至运算放大器的正向输入端,所述反馈电阻串(15)的一端接功率管(14)的漏端,所述反馈电阻串(15)的另一端接地,所述功率管(14)的源端接V<sub>DD</sub>电源,所述功率管(14)的栅端接运算放大器的输出端,其特征在于:还包括参考电压生成电路(10)、NMOS管M1和PMOS管M2,所述参考电压生成电路(10)的输入端接带隙基准,所述参考电压生成电路(10)生成参考电压vbn和参考电压vbp,参考电压vbn连接至NMOS管M1的栅端,参考电压vbp连接至PMOS管M2的栅端,所述NMOS管M1的漏端接V<sub>DD</sub>电源,所述NMOS管M1的源端与PMOS管M2的源端连接,所述PMOS管M2的漏端接地。
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