发明名称 | 一种改进的共源共栅射频功率放大器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器,在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D;射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1,共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列,共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路,共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。采用共源共栅结构,并优化版图结构,使得该射频功率放大器具有高增益、高功率、高线性度、高效率等性能优势,同时又保持与单晶体管共源结构射频功率放大器相当的版图面积,使其具有了成本优势。 | ||
申请公布号 | CN104702226A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201510146793.2 | 申请日期 | 2015.03.31 |
申请人 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 发明人 | 陈高鹏;陈俊;刘磊;张辉;黄清华 |
分类号 | H03F3/20(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/20(2006.01)I |
代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 范晴 |
主权项 | 一种改进的共源共栅射频功率放大器,其特征在于,在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D;射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1,共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列,共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路,共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。 | ||
地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路150号 |