栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法

摘要

本发明提供了一种栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法，在半导体衬底上形成栅氧层之后包括：以栅氧层为阻挡层对半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测半导体衬底受到刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于半导体衬底的损失来分析栅氧层的缺陷。通过检测出半导体衬底的损耗缺陷来分析栅氧层的缺陷，实现了对栅氧层缺陷和器件漏电的准确和实时监测，及时发现漏电问题，克服了现有的发现缺陷问题滞后以及难以检测的问题，并且节约了时间和成本。

主权项

一种栅氧层缺陷的检测方法，在半导体衬底上进行，包括在半导体衬底上形成栅氧层，其特征在于，形成所述栅氧层之后包括：以所述栅氧层为阻挡层对所述半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测所述半导体衬底受到所述刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于所述半导体衬底的损失来分析所述栅氧层的缺陷。