发明名称 一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法
摘要 本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法,可编程模拟电路包括:阻变元件、第一电阻、第二电阻、N型MOS管和P型MOS管;第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口,阻变元件的一端与第一电阻的另一端连接,阻变元件的另一端作为可编程模拟电路的第二端口;N型MOS管的漏极和P型MOS管的漏极均连接至阻变元件的另一端,N型MOS管的源极和P型MOS管的源极均接地;第二电阻的一端与第一电阻的另一端连接,第二电阻的另一端、N型MOS管的栅极和P型MOS管的栅极连接后作为可编程模拟电路的脉冲输入端。本发明通过改变阻变元件的阻值来改变电路的性能,可应用于多种现有模拟电路之中,并且使用器件数较少,操作简单,节省功耗和时间,提高电路工作效率。
申请公布号 CN104702264A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201510127484.0 申请日期 2015.03.23
申请人 华中科技大学 发明人 缪向水;孙康;李祎;孙华军
分类号 H03K19/00(2006.01)I 主分类号 H03K19/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 廖盈春
主权项 一种基于忆阻器的可编程模拟电路,其特征在于,所述可编程模拟电路包括:阻变元件M、第一电阻R1、第二电阻R2、N型MOS管Q1和P型MOS管Q2;所述第一电阻R1的一端作为所述可编程模拟电路的第一端口Vi,所述阻变元件M的一端与所述第一电阻R1的另一端连接,所述阻变元件M的另一端作为所述可编程模拟电路的第二端口Vo;所述N型MOS管Q1的漏极和所述P型MOS管Q2的漏极均连接至所述阻变元件M的另一端,所述N型MOS管Q1的源极和所述P型MOS管Q2的源极均接地;所述第二电阻R2的一端与所述第一电阻R1的另一端连接,所述第二电阻R2的另一端、所述N型MOS管Q1的栅极和所述P型MOS管Q2的栅极连接后作为所述可编程模拟电路的脉冲输入端pulse。
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